| FET 类型 | N 通道 |
|---|---|
| 技术 | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | 600V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | 40mA（Ta） |
| 驱动电压（更大 Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（更大值） | 500 欧姆 @ 16mA，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（更大值） | 3.2V @ 8?A |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（更大值） | 1.5nC @ 10V |
| Vgs（更大值） | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（更大值） | 15pF @ 25V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（更大值） | 1.39W（Ta） |
| 工作温度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | 表面贴装型 |
| 供应商器件封装 | SOT-23-3 |
| 封装/外壳 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |